走在通往硬件实验大楼的路上，许道微一时之间有些惆怅，2018年5月，中芯国际订购了一套极紫外光刻（euv）设备，该设备来自荷兰芯片设备制造商asl，价值12亿美元。长江存储的首台光刻机同样来自asl，为193n浸润式光刻机，售价7200万美元，用于14 n-20 n工艺。
12月3日晚，荷兰光刻机巨头asl的元器件供应商——prodrive突发大火，asl声明这场火灾会影响到2019年年初的出货计划。最终确实产生了影响，基本上只影响了中芯国际的那台光刻机。
光刻机分为紫外光源（uv）、深紫外光源(duv)、极紫外光源（euv）。按照发展轨迹，最早的光刻机光源即为汞灯产生的紫外光源（uv）。之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源（duv），将波长进一步缩小到arf的193 n。大秦科技的研发方向波长19额3n的光刻机并结合林本坚博士的浸入技术。
由于157 n波长的光线不能穿透纯净水，无法和浸入技术结合。获悉了未来发展方向的许道微，直接砍掉了这个研发方向。
许道微并没有好高骛远的研发极紫外光源光刻机，如今能在华夏与国外交流最紧密的时间里，攻克国外已有的193n技术，足以达到他的预期。
通过浸没式光刻和双重光刻等工艺，第四代 arf 光刻机最高可以实现 22n 制程的芯片生产，如果研发成功，华夏在这个领域至少十年内不会受制于人，至于euv光刻机，谁先研发出来还犹未可知。
要知道科研除了技术实力，方向的重要性毋庸置疑，许道微虽然不懂半导体技术，但是给出一个正确方向，为追赶并超越国外至少降低了50的难度。
站在倪院士办公室的门口，许道微礼貌的敲了敲门。很快，门背后传来了声音“别敲了，直接进来吧。”
听到这声音，许道微便推门走了进去。看着出现在门口的许道微，倪院士放下了手中的保温杯，笑着说道“哟，真是好久不见了，这几个月你第一次想起我们半导体中心吧？”
自从半导体中心实验大楼投入使用后，半导体设备研发事业部和智能设备研发事业部两个部门陆续迁移到新办公区。只有ic设计部依然留在大秦科技大厦。
刘政在静湖新总部建立的实验中心标准更高，能承受更高强度，更精密的实验。目前公司的两栋大楼都属于过渡使用阶段。
和倪院士确实是好久不见了，倪院士很少参与互联网领域的事情。与华科院旗下各个研究所达成合作，让这位本该含饴弄孙的老人在外奔波了几个月。
半导体领域的设备非常多，每一个设备的零部件都需要研发，不仅需要越过西方的技术壁垒，甚至还要越过西方的专利壁垒，从而形成自己的专利壁垒。
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